STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 75 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, STripFET
- RS-varenummer:
- 151-920P
- Producentens varenummer:
- STB75NF20
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 50 flere for at gemme 19%
Se mængderabatterIndhold 20 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 844,50
(ekskl. moms)
Kr. 1.055,62
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 890 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 20 - 48 | Kr. 42,225 | - |
| 50 + | Kr. 33,92 | 19% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 151-920P
- Producentens varenummer:
- STB75NF20
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 75A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | STripFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.034Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | 50°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 84nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 10.4mm | |
| Længde | 15.85mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 4.6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 75A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie STripFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.034Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur 50°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 84nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 10.4mm | ||
Længde 15.85mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 4.6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET realiseret med unik STripFET-proces er specielt designet til at minimere indgangskapacitet og gate-ladning. Den er derfor velegnet som primærkontakt i avancerede isolerede DC-til-DC-konvertere med høj effektivitet.
Fremragende dv/dt-kapacitet
100% lavine testet
Lav gate-opladning