STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 4 A 1500 V Forbedring, 3 Ben, TO-3PF, STFW4
- RS-varenummer:
- 151-933
- Producentens varenummer:
- STFW4N150
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 48,62
(ekskl. moms)
Kr. 60,78
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 30 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 48,62 |
| 10 - 99 | Kr. 28,42 |
| 100 + | Kr. 23,94 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 151-933
- Producentens varenummer:
- STFW4N150
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1500V | |
| Emballagetype | TO-3PF | |
| Serie | STFW4 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 29nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 44mm | |
| Højde | 44mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1500V | ||
Emballagetype TO-3PF | ||
Serie STFW4 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 29nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 44mm | ||
Højde 44mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- KR
STMicroelectronics Power MOSFET er designet ved hjælp af den konsoliderede strip-layoutbaserede MESH OVERLAY-proces. Resultatet er et produkt, der matcher eller forbedrer ydeevnen for sammenlignelige standarddele fra andre producenter.
100 % lavinetestet
Intrinsiske kapacitanser og Qg minimeret
Højhastighedsskift
Fuldt isoleret TO 3PF-plastikpakke
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 4 A 1500 V Forbedring TO-3PF, STFW4
- STMicroelectronics Type N-Kanal 2.5 A 1500 V Forbedring TO-3PF, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 58 A 710 V Forbedring TO-3PF, MDmesh M5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 2.5 A 1500 V Forbedring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 4 A 1500 V Forbedring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 2.5 A 1500 V Forbedring TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 8 A 1500 V Forbedring TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 4 A 1500 V Forbedring TO-247, MDmesh