STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 53 A 650 V Forbedring, 8 Ben, ACEPACK SMIT, MDmesh DM6 AEC
- RS-varenummer:
- 152-113P
- Producentens varenummer:
- SH63N65DM6AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 100 flere for at gemme Kr. 172,00
Se mængderabatterIndhold 10 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 1.382,30
(ekskl. moms)
Kr. 1.727,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 200 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 10 - 99 | Kr. 138,23 | - |
| 100 - 199 | Kr. 136,51 | Kr. 172,00 |
| 200 - 399 | Kr. 134,79 | Kr. 688,00 |
| 400 + | Kr. 133,29 | Kr. 1.976,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 152-113P
- Producentens varenummer:
- SH63N65DM6AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 53A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | ACEPACK SMIT | |
| Serie | MDmesh DM6 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 64mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 424W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 25V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.55V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | AQG 324 | |
| Bilindustristandarder | AEC | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 53A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype ACEPACK SMIT | ||
Serie MDmesh DM6 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 64mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 424W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 25V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.55V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser AQG 324 | ||
Bilindustristandarder AEC | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics enhed kombinerer to MOSFET'er i en halv bro topologi. ACEPACK SMIT er et meget kompakt og robust strømmodul i et overflademonteret hus for nem montering. Takket være DBC-substratet giver ACEPACK SMIT-huset lav termisk modstand kombineret med en isoleret termisk pude på toppen. Den høje designfleksibilitet i huset muliggør flere konfigurationer, herunder faseben, boost og enkeltkontakt gennem forskellige kombinationer af de interne effektkontakter.
AQG 324 kvalificeret
Halvbro-strømmodul
650 V blokeringsspænding
Kropsdiode med hurtig gendannelse
Meget lave skifteenergier
Lav husinduktivitet