STMicroelectronics Type P-Kanal, MOSFET, 83 A 650 V Udtømning, 9 Ben, ACEPACK SMIT, HB
- RS-varenummer:
- 152-183P
- Producentens varenummer:
- STGSH80HB65DAG
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 100 flere for at gemme Kr. 150,00
Se mængderabatterIndhold 10 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 1.289,60
(ekskl. moms)
Kr. 1.612,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 200 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 10 - 99 | Kr. 128,96 | - |
| 100 + | Kr. 127,46 | Kr. 150,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 152-183P
- Producentens varenummer:
- STGSH80HB65DAG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 83A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | HB | |
| Emballagetype | ACEPACK SMIT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 9 | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 456nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.9V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 250W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | Automotive-grade | |
| Bredde | 33.2mm | |
| Længde | 25.2mm | |
| Højde | 4.05mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 83A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie HB | ||
Emballagetype ACEPACK SMIT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 9 | ||
Kanalform Udtømning | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 456nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.9V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 250W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser Automotive-grade | ||
Bredde 33.2mm | ||
Længde 25.2mm | ||
Højde 4.05mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics-enheden kombinerer to IGBT'er og dioder i halvbro-topologi monteret på et meget kompakt og robust hus, der er let at overflademontere. Enheden er en del af HB seriens IGBT'er, som er optimeret både i ledningsevne og skiftetab til blød omskiftning. En frihjuldiode med lav faldspænding er inkluderet i hver kontakt.
AQG 324 kvalificeret
Højhastigheds-switching-serien
Minimeret strøm i halen
Stram parameterfordeling
Lav termisk modstand takket være DBC-substrat