IXYS Enkelt N-Kanal, MOSFET, 150 A 150 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Polar
- RS-varenummer:
- 194-259P
- Producentens varenummer:
- IXFN180N15P
- Brand:
- IXYS
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
- RS-varenummer:
- 194-259P
- Producentens varenummer:
- IXFN180N15P
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 150A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | SOT-227 | |
| Serie | HiperFET, Polar | |
| Monteringstype | Panelmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 11mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 680W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 240nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Bredde | 25.42mm | |
| Længde | 38.23mm | |
| Højde | 9.6mm | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 150A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype SOT-227 | ||
Serie HiperFET, Polar | ||
Monteringstype Panelmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 11mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 680W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 240nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Bredde 25.42mm | ||
Længde 38.23mm | ||
Højde 9.6mm | ||
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS