Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 150 A 25 V Forbedring, 5 Ben, LFPAK, NextPowerS3 Nej PSMN1R5-25MLHX
- RS-varenummer:
- 219-265
- Producentens varenummer:
- PSMN1R5-25MLHX
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 8,30
(ekskl. moms)
Kr. 10,38
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 1.460 enhed(er) afsendes fra 30. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 8,30 |
| 10 - 99 | Kr. 7,48 |
| 100 - 499 | Kr. 6,88 |
| 500 - 999 | Kr. 6,36 |
| 1000 + | Kr. 5,76 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 219-265
- Producentens varenummer:
- PSMN1R5-25MLHX
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 150A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 25V | |
| Serie | NextPowerS3 | |
| Emballagetype | LFPAK | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.81mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 106W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 150A | ||
Drain source spænding maks. Vds 25V | ||
Serie NextPowerS3 | ||
Emballagetype LFPAK | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.81mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 106W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Nexperia N-kanals MOSFET med NextPowerS3-teknologi giver lav RDS, lav IDSS-lækage og høj effektivitet med en mærkestrøm på 150 A. Dens optimerede lave gate-modstand understøtter anvendelser med hurtig skifte. Nøgleanvendelser omfatter synkron buck-regulatorer, synkron ensrettere i AC til DC og DC til DC konverteringer, BLDC motorstyring, eFuse og batteribeskyttelse samt OR-ing og hot-swap-funktionalitet.
Hurtig skifte
Lav spidse og ringende for design med lav EMI
Høj pålidelighed kobberclips limet
Kvalificeret til 175 °C
Eksponerede ledninger for optimal visuel loddeinspektion
Relaterede links
- Nexperia N-Kanal 150 A 25 V LFPAK PSMN1R5-25MLHX
- Nexperia N-Kanal 240 A 40 V LFPAK PSMN1R5-40YSDX
- Nexperia N-Kanal 100 A 30 V LFPAK115
- Nexperia N-Kanal 150 A 30 V LFPAK PSMN1R8-30MLHX
- Nexperia N-Kanal 300 A 25 V LFPAK PSMN0R7-25YLDX
- Nexperia N-Kanal 179 A 25 V LFPAK PSMN2R0-25YLDX
- Nexperia N-Kanal 200 A 25 V LFPAK PSMN1R7-25YLDX
- Nexperia N-Kanal 60 A 25 V LFPAK PSMN6R1-25MLDX