Nexperia N-Kanal, MOSFET, 300 A 25 V Forbedring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- RS-varenummer:
- 219-307P
- Producentens varenummer:
- PSMN0R9-25YLDX
- Brand:
- Nexperia
Få rabat ved storkøb
Tilføj 100 flere for at gemme Kr. 157,00
Se mængderabatterIndhold 10 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 191,50
(ekskl. moms)
Kr. 239,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.470 enhed(er) afsendes fra 16. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 10 - 99 | Kr. 19,15 | - |
| 100 - 499 | Kr. 17,58 | Kr. 157,00 |
| 500 - 999 | Kr. 16,23 | Kr. 1.460,00 |
| 1000 + | Kr. 14,66 | Kr. 4.490,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 219-307P
- Producentens varenummer:
- PSMN0R9-25YLDX
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 300A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 25V | |
| Emballagetype | LFPAK | |
| Serie | PSM | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.85mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 47.2nC | |
| Portkildespænding maks. | 10V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 238W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 300A | ||
Drain source spænding maks. Vds 25V | ||
Emballagetype LFPAK | ||
Serie PSM | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.85mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 47.2nC | ||
Portkildespænding maks. 10V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 238W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Nexperia N-kanals MOSFET har NextPowerS3-porteføljen ved hjælp af NXP's unikke SchottkyPlus-teknologi, der giver høj effektivitet, lav spidsydelse, der normalt er forbundet med MOSFETS med en integreret Schottky- eller Schottky-lignende diode, men uden problematisk høj lækstrøm. NextPowerS3 er særligt velegnet til anvendelser med høj effektivitet ved høje skiftefrekvenser.
Lav parasitisk induktion og modstand
Høj pålidelighed clip limet og loddemasse fastgøres Power SO8 hus
Kan bølgeloddes
Superhurtig skiftning med blød genopretning