Nexperia N-Kanal, MOSFET, 300 A 40 V Forbedring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- RS-varenummer:
- 219-353
- Producentens varenummer:
- PSMNR90-40YLHX
- Brand:
- Nexperia
Indhold (1 rulle af 1500 enheder)*
Kr. 28.258,50
(ekskl. moms)
Kr. 35.323,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 01. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1500 + | Kr. 18,839 | Kr. 28.258,50 |
*Vejledende pris
Alternativ
Dette produkt er ikke tilgængeligt i øjeblikket. Vi anbefaler dette alternativ.
Pr. stk. (på Rulle á 3000)
Kr. 37.269,00
(ekskl. moms)
Kr. 46.586,25
(inkl. moms)
- RS-varenummer:
- 219-353
- Producentens varenummer:
- PSMNR90-40YLHX
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 300A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | LFPAK | |
| Serie | PSM | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.94mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 54nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 333W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 300A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype LFPAK | ||
Serie PSM | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.94mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 54nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 333W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Nexperia N-kanals MOSFET udnytter Advanced TrenchMOS Super junction-teknologi. Huset er kvalificeret til 175 °C. Den er designet til højtydende strømswitching-anvendelser. Nøgleanvendelser omfatter automation, robotter, DC-til-DC-konvertere, børsteløs DC-motorstyring, industriel belastningsswitching, eFuse og indkoblingsstyring.
Lav parasitisk induktion og modstand
Høj pålidelighed clip limet og loddemasse fastgøres Power SO8 hus
Kan bølgeloddes
Superhurtig skiftning med blød genopretning
Relaterede links
- Nexperia N-Kanal 300 A 40 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia N-Kanal 320 A 40 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia N-Kanal 300 A 30 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia N-Kanal 300 A 25 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia N-Kanal 280 A 40 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia N-Kanal 120 A 100 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia N-Kanal 66 A 30 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia N-Kanal 240 A 40 V Forbedring LFPAK, PSM