Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 86 A 60 V Forbedring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- RS-varenummer:
- 219-366
- Producentens varenummer:
- PSMN7R5-60YLX
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 5,26
(ekskl. moms)
Kr. 6,58
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.463 enhed(er) afsendes fra 05. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 5,26 |
| 10 - 99 | Kr. 4,72 |
| 100 - 499 | Kr. 4,37 |
| 500 - 999 | Kr. 4,07 |
| 1000 + | Kr. 3,59 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 219-366
- Producentens varenummer:
- PSMN7R5-60YLX
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 86A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | PSM | |
| Emballagetype | LFPAK | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 147W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 60.6nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, IEC 60134 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 86A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie PSM | ||
Emballagetype LFPAK | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 147W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 60.6nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, IEC 60134 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Nexperia N-kanals MOSFET leveres i et LFPAK56 hus og udnytter TrenchMOS-teknologi og er designet til brug i en bred vifte af strømforsynings- og motorstyringsanvendelser. Nøgleanvendelser omfatter synkron ensretning i LLC topologi, ladere og adaptere med udgangsspænding på mindre end 10 V, hurtig opladning og USB-PD-anvendelser, batteridrevet motorstyring og LED-belysning/tv-baggrundsbelysning.
Logisk niveau gate-drift
Avalanche-godkendt og 100 % testet
LLFPAK giver maksimal effekttæthed i et strøm SO8-hus
Relaterede links
- Nexperia Type N-Kanal 86 A 60 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 57 A 30 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 51 A 30 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 60 A 40 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 60 A 25 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 160 A 40 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 120 A 40 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 70 A 25 V Forbedring LFPAK, PSM