Nexperia N-Kanal, MOSFET, 67 A 1200 V Forbedring, 4 Ben, TO-247
- RS-varenummer:
- 219-448P
- Producentens varenummer:
- NSF030120L4A0Q
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (10 enheder, leveres i et rør)*
Kr. 1.872,90
(ekskl. moms)
Kr. 2.341,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 449 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 - 99 | Kr. 187,29 |
| 100 + | Kr. 172,71 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 219-448P
- Producentens varenummer:
- NSF030120L4A0Q
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 67A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Printmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 67A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Printmontering | ||
Benantal 4 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Nexperia SiC Power MOSFET leveres i en kompakt 4-pin TO-247-plastikpakke til montering gennem huller på printkort. Dens fremragende RDS(on)-temperaturstabilitet og hurtige skiftehastighed gør den ideel til industrielle applikationer med høj effekt og høj spænding, herunder infrastruktur til opladning af elbiler, solcelleinvertere og motordrev.
Hurtig omvendt gendannelse
Hurtig skiftehastighed
Temperaturuafhængige tab ved slukning
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
