Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 200 A 40 V Forbedring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- RS-varenummer:
- 219-502
- Producentens varenummer:
- PSMN1R7-40YLBX
- Brand:
- Nexperia
Indhold (1 rulle af 1500 enheder)*
Kr. 14.398,50
(ekskl. moms)
Kr. 17.998,50
(inkl. moms)
Tilføj 1500 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- Plus 1.500 enhed(er) afsendes fra 20. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1500 + | Kr. 9,599 | Kr. 14.398,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 219-502
- Producentens varenummer:
- PSMN1R7-40YLBX
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 200A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | LFPAK | |
| Serie | PSM | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 10 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 35nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 194W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 200A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype LFPAK | ||
Serie PSM | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 10 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 35nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 194W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Nexperia N-kanals MOSFET udnytter Advanced TrenchMOS Super junction-teknologi. Den er optimeret til at forbedre EMC-ydeevnen med op til 6 dB. Den er designet til højtydende strømswitching-anvendelser. Nøgleanvendelser omfatter automation, robotter, DC-til-DC-konvertere, børsteløs DC-motorstyring, batteriisolering, industriel belastningsswitching, eFuse og indkoblingsstyring.
Lav parasitisk induktion og modstand
Høj pålidelighed clip limet og loddemasse fastgøres Power SO8 hus
Kan bølgeloddes
Superhurtig skiftning med blød genopretning
Relaterede links
- Nexperia Type N-Kanal 200 A 40 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 120 A 40 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 160 A 40 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 180 A 40 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 200 A 25 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 60 A 40 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 300 A 40 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 325 A 40 V Forbedring LFPAK, PSM