onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 195 A 40 V Forbedring, 5 Ben, DFN-5, NTMFS
- RS-varenummer:
- 220-599
- Producentens varenummer:
- NTMFS1D3N04XMT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 10 enheder)*
Kr. 47,12
(ekskl. moms)
Kr. 58,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 4,712 | Kr. 47,12 |
| 100 - 240 | Kr. 4,481 | Kr. 44,81 |
| 250 - 490 | Kr. 4,159 | Kr. 41,59 |
| 500 - 990 | Kr. 3,822 | Kr. 38,22 |
| 1000 + | Kr. 3,68 | Kr. 36,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 220-599
- Producentens varenummer:
- NTMFS1D3N04XMT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 195A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | DFN-5 | |
| Serie | NTMFS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 90W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 38.5nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 1mm | |
| Længde | 6.15mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 195A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype DFN-5 | ||
Serie NTMFS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 90W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 38.5nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 1mm | ||
Længde 6.15mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
ON Semiconductor Power MOSFET-teknologi med klassens bedste On-Resistance til motordriverapplikationer. Lavere On-Resistance og mindre gate-ladning kan reducere ledningstab og drivtab. God softness-kontrol af kropsdiodens reverse recovery kan reducere spændingsspidsbelastningen uden ekstra snubber-kredsløb i applikationen.
Halogenfri
I overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 278 A 40 V Forbedring DFN-5, NTMFS
- onsemi Type N-Kanal 509 A 40 V Forbedring DFN-5, NTMFS
- onsemi Type N-Kanal 111 A 40 V Forbedring DFN-5, NTMFS
- onsemi Type N-Kanal 380 A 40 V Forbedring DFN-5, NTMFS
- onsemi Type N-Kanal 349 A 40 V Forbedring DFN-5, NTMFS
- onsemi Type N-Kanal 233 A 40 V Forbedring DFN-5, NTMFS
- onsemi Type N-Kanal 414 A 40 V Forbedring DFN-5, NTMFS
- onsemi Type N-Kanal 181 A 80 V Forbedring DFN-5, NTMFS