ROHM 2 Type N-Kanal, MOSFET 100 V Forbedring, 8 Ben, TSMT-8, QH8
- RS-varenummer:
- 264-562P
- Producentens varenummer:
- QH8KE5TCR
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 240,60
(ekskl. moms)
Kr. 300,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.975 enhed(er) afsendes fra 31. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 100 - 225 | Kr. 2,406 |
| 250 - 475 | Kr. 2,226 |
| 500 - 975 | Kr. 2,05 |
| 1000 + | Kr. 1,975 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 264-562P
- Producentens varenummer:
- QH8KE5TCR
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | QH8 | |
| Emballagetype | TSMT-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 202mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 2.8nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.5W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie QH8 | ||
Emballagetype TSMT-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 202mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 2.8nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.5W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM 100V 2.0A dual N-channel power MOSFET i en TSMT8-pakke er designet til højeffektive switching-strømforsyninger og motordrevne applikationer.
Lav modstand ved tændt
Lille overflademonteret pakke TSMT8
Pb-fri plettering og RoHS-kompatibel
Halogenfri