ROHM 2 N-Kanal, MOSFET, 8 A 100 V Forbedring, 6 Ben, SOP-8, SH8
- RS-varenummer:
- 264-710P
- Producentens varenummer:
- SH8KE7TB1
- Brand:
- ROHM
Tilføj 100 flere for at gemme Kr. 73,20
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 481,70
(ekskl. moms)
Kr. 602,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
- Plus 100 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 50 - 95 | Kr. 9,634 | - |
| 100 - 495 | Kr. 8,902 | Kr. 73,20 |
| 500 - 995 | Kr. 8,198 | Kr. 718,00 |
| 1000 + | Kr. 7,898 | Kr. 1.736,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 264-710P
- Producentens varenummer:
- SH8KE7TB1
- Brand:
- ROHM
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | SH8 | |
| Emballagetype | SOP-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 20.9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19.8nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, Halogen Free | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie SH8 | ||
Emballagetype SOP-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 20.9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19.8nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, Halogen Free | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
