ROHM Type N-Kanal, MOSFET 600 V Forbedring, 3 Ben, SOT-223-3, R60
- RS-varenummer:
- 264-849P
- Producentens varenummer:
- R6003JND4TL1
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 548,30
(ekskl. moms)
Kr. 685,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 60 enhed(er) afsendes fra 31. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 100 - 240 | Kr. 5,483 |
| 250 - 490 | Kr. 5,071 |
| 500 - 990 | Kr. 4,675 |
| 1000 + | Kr. 4,503 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 264-849P
- Producentens varenummer:
- R6003JND4TL1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | R60 | |
| Emballagetype | SOT-223-3 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.15Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8nC | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 7.8W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie R60 | ||
Emballagetype SOT-223-3 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.15Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8nC | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 7.8W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM 600V 1,3A SOT 223 3 Presto MOS med integreret højhastighedsdiode er en power-MOSFET med hurtig reverse recovery-tid, der er velegnet til switching-applikationer. Det øger designfleksibiliteten, samtidig med at man bevarer branchens hurtigste reverseringstid, der er optimeret til ladestationer til elbiler og motordrev i husholdningsapparater som køleskabe og klimaanlæg.
Hurtig reverseringstid
Lav modstand ved tændt
Hurtig skiftehastighed
Drivkredsløb kan være enkle
Pb-fri plettering og RoHS-kompatibel