ROHM 2 Type N, Type P-Kanal Dobbelt (Nch+Pch), MOSFET 100 V Forbedring, 8 Ben, HSOP-8, HP8K
- RS-varenummer:
- 264-877P
- Producentens varenummer:
- HP8ME5TB1
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 511,60
(ekskl. moms)
Kr. 639,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 100 - 240 | Kr. 5,116 |
| 250 - 490 | Kr. 4,727 |
| 500 - 990 | Kr. 4,353 |
| 1000 + | Kr. 4,204 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 264-877P
- Producentens varenummer:
- HP8ME5TB1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N, Type P | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | HP8K | |
| Emballagetype | HSOP-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 273mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19.7nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt (Nch+Pch) | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N, Type P | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie HP8K | ||
Emballagetype HSOP-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 273mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19.7nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt (Nch+Pch) | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM power MOSFET har en dobbelt N-kanal konfiguration med en spænding på 100V og en strømkapacitet på 8,5A. Designet i en HSOP8-pakke og med lav on-modstand.
Lav modstand ved tændt
Lille overflademonteret pakke (HSOP8)
Pb-fri blybelægning og RoHS-kompatibel
Halogenfri