ROHM 1 N-Kanal, MOSFET, 105 A 150 V Forbedring, 3 Ben, TO-263AB, RJ1

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold 10 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 460,80

(ekskl. moms)

Kr. 576,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 100 enhed(er) afsendes fra 28. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
10 - 99Kr. 46,08
100 - 499Kr. 42,34
500 - 999Kr. 39,34
1000 +Kr. 32,01

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
264-880P
Producentens varenummer:
RJ1R10BBHTL1
Brand:
ROHM
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

ROHM

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

105A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Emballagetype

TO-263AB

Serie

RJ1

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

8.2mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

130nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

181W

Portkildespænding maks.

20V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Antal elementer per chip

1

ROHM Nch 150V 170A TO-263AB power MOSFET med lav on-modstand og høj effekt, lille støbeformspakke, velegnet til at skifte.

Lav modstand ved tændt

Lille støbeformspakke med høj effekt (TO263AB)

Pb-fri plettering og RoHS-kompatibel

100% UIS-testet

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.