ROHM 1 N-Kanal, MOSFET, 65 A 60 V Forbedring, 8 Ben, HSMT-8, RH6
- RS-varenummer:
- 264-934P
- Producentens varenummer:
- RH6L040BGTB1
- Brand:
- ROHM
Få rabat ved storkøb
Tilføj 250 flere for at gemme Kr. 108,50
Se mængderabatterIndhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 591,70
(ekskl. moms)
Kr. 739,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.260 enhed(er) afsendes fra 11. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 100 - 240 | Kr. 5,917 | - |
| 250 - 490 | Kr. 5,483 | Kr. 108,50 |
| 500 - 990 | Kr. 5,042 | Kr. 437,50 |
| 1000 + | Kr. 4,862 | Kr. 1.055,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 264-934P
- Producentens varenummer:
- RH6L040BGTB1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 65A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | HSMT-8 | |
| Serie | RH6 | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 59W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 18.8nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 65A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype HSMT-8 | ||
Serie RH6 | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 59W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 18.8nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
ROHM Nch 60V 65A HSMT8 er en power-MOSFET med lav on-modstand, der er velegnet til switching, motordrev, DC- eller DC-omformere.
Lille overflademonteret pakke
Pb-fri belægning
I overensstemmelse med RoHS