ROHM N-Kanal, MOSFET, 4 A 30 V Forbedring, 3 Ben, DFN1212-3, RV7
- RS-varenummer:
- 265-381P
- Producentens varenummer:
- RV7E040AJTCR1
- Brand:
- ROHM
Få rabat ved storkøb
Tilføj 250 flere for at gemme Kr. 30,00
Se mængderabatterIndhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 161,00
(ekskl. moms)
Kr. 201,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 100 - 225 | Kr. 1,61 | - |
| 250 - 475 | Kr. 1,49 | Kr. 30,00 |
| 500 - 975 | Kr. 1,37 | Kr. 120,00 |
| 1000 + | Kr. 1,322 | Kr. 288,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 265-381P
- Producentens varenummer:
- RV7E040AJTCR1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | DFN1212-3 | |
| Serie | RV7 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 45mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 4.0nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.1W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 12V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 500μm | |
| Længde | 1.2mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 1.2mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype DFN1212-3 | ||
Serie RV7 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 45mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4.0nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.1W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 12V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 500μm | ||
Længde 1.2mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 1.2mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM MOSFET er designet til switching- og load switching-applikationer. Den er anbragt i en blyfri, ultrasmal SMD-plastikpakke på 1,2x1,2x0,5 mm med en eksponeret drænpude og giver fremragende varmeledning, hvilket sikrer effektiv ydelse i kompakte elektroniske designs.
RoHS-overensstemmende
Lav modstand ved tændt
Pb-fri blybelægning