ROHM N-Kanal, MOSFET, 4.5 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TSMT-3, RQ5
- RS-varenummer:
- 265-473P
- Producentens varenummer:
- RQ5L045BGTCL
- Brand:
- ROHM
Få rabat ved storkøb
Tilføj 250 flere for at gemme Kr. 69,50
Se mængderabatterIndhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 371,30
(ekskl. moms)
Kr. 464,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 100 enhed(er) afsendes fra 11. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 100 - 225 | Kr. 3,713 | - |
| 250 - 475 | Kr. 3,435 | Kr. 69,50 |
| 500 - 975 | Kr. 3,162 | Kr. 275,50 |
| 1000 + | Kr. 3,046 | Kr. 667,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 265-473P
- Producentens varenummer:
- RQ5L045BGTCL
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | RQ5 | |
| Emballagetype | TSMT-3 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 32mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7.6nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie RQ5 | ||
Emballagetype TSMT-3 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 32mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7.6nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM Power MOSFET har lav on-modstand, hvilket gør den meget effektiv til switching-applikationer, motordrev og DC/DC-omformere. Dens design sikrer optimal ydeevne og pålidelighed i en lang række elektroniske kredsløb.
RoHS-overensstemmende
Lav modstand ved tændt
Pb-fri belægning
Halogenfri
100 procent Rg og UIS-testet
Lille overflademonteret pakke