onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 38 A 1200 V Forbedring, 22 Ben, PIM22, NXH
- RS-varenummer:
- 277-054
- Producentens varenummer:
- NXH030F120M3F1PTG
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 487,85
(ekskl. moms)
Kr. 609,81
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 28 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 487,85 |
| 10 + | Kr. 439,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 277-054
- Producentens varenummer:
- NXH030F120M3F1PTG
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 38A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | PIM22 | |
| Serie | NXH | |
| Monteringstype | Snap-in-montering | |
| Benantal | 22 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 38.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 6V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 34.2W | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 110nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 38A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype PIM22 | ||
Serie NXH | ||
Monteringstype Snap-in-montering | ||
Benantal 22 | ||
Drain source modstand maks. Rds 38.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 6V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 34.2W | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 110nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ON Semiconductor Power Module indeholder en 30 mΩ, 1200V SiC MOSFET-fuldbro og en termistor med en Al2O3 DBC (Direct Bonded Copper) i en F1-pakke. Dette højtydende modul er designet til effektiv strømkonvertering og er ideelt til applikationer som solcelleinvertere, uafbrydelige strømforsyninger (UPS), ladestationer til elbiler og industrielle strømsystemer.
Pb-fri
Halidfri og RoHS-kompatibel
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 129 A 1200 V Forbedring PIM29, NXH
- onsemi Type N-Kanal 42 A 1200 V Forbedring PIM18, NXH
- onsemi Type N-Kanal 149 A 1200 V Forbedring PIM34, NXH
- onsemi Type N-Kanal 105 A 1200 V Forbedring PIM34, NXH
- onsemi Type N-Kanal 191 A 1200 V Forbedring PIM36, NXH
- onsemi Type N-Kanal 145 A 1200 V Forbedring PIM18, NXH
- onsemi Type N-Kanal 77 A 1200 V Forbedring PIM18, NXH
- onsemi Type N-Kanal 105 A 1200 V Forbedring PIM18, NXH