onsemi Type P, Type N-Kanal, MOSFET, 192 A 1.2 kV Forbedring, 44 Ben, PIM44, NXH
- RS-varenummer:
- 277-057P
- Producentens varenummer:
- NXH600B100H4Q2F2PG
- Brand:
- onsemi
Indhold 1 enhed (leveres i en bakke)*
Kr. 1.819,51
(ekskl. moms)
Kr. 2.274,39
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 36 enhed(er) afsendes fra 05. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 + | Kr. 1.819,51 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 277-057P
- Producentens varenummer:
- NXH600B100H4Q2F2PG
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type P, Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 192A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1.2kV | |
| Emballagetype | PIM44 | |
| Serie | NXH | |
| Monteringstype | Snap-in-montering | |
| Benantal | 44 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.55V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 766nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 511W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type P, Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 192A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1.2kV | ||
Emballagetype PIM44 | ||
Serie NXH | ||
Monteringstype Snap-in-montering | ||
Benantal 44 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.55V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 766nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 511W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ON Semiconductor Hybrid Three Channel Symmetric Boost Module har to 1000V, 200A IGBT'er og to 1200V, 60A SiC-dioder pr. kanal sammen med en NTC-termistor til temperaturovervågning. Modulet bruger trench med field stop-teknologi til høj effektivitet, hvilket reducerer koblingstab og systemets strømforbrug betydeligt. Dens design giver høj effekttæthed, hvilket gør den velegnet til krævende effektanvendelser, der kræver optimal ydelse og varmestyring.
Lavt induktivt layout
Lav pakkehøjde
Pb-fri
Halidfri og RoHS-kompatibel