Infineon N-Kanal, MOSFET, 503 A 60 V Forbedring, 16 Ben, PG-HDSOP-16-1, OptiMOS
- RS-varenummer:
- 284-707
- Producentens varenummer:
- IAUTN06S5N008TATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (2 enheder, i en pakke med 2)*
Kr. 110,93
(ekskl. moms)
Kr. 138,66
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 26. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 55,465 | Kr. 110,93 |
| 20 - 198 | Kr. 49,89 | Kr. 99,78 |
| 200 - 998 | Kr. 46,04 | Kr. 92,08 |
| 1000 + | Kr. 42,71 | Kr. 85,42 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 284-707
- Producentens varenummer:
- IAUTN06S5N008TATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 503A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | PG-HDSOP-16-1 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 16 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.79mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 358W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 503A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype PG-HDSOP-16-1 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 16 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.79mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 358W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS 5 Automotive Power MOSFET er designet til at opfylde de strenge krav til moderne bilapplikationer og lover høj pålidelighed og effektivitet. Denne effekttransistor er udviklet med avanceret teknologi og giver fremragende ydeevne, samtidig med at den optimerer de termiske egenskaber. Det robuste design sikrer driftsstabilitet over et bredt temperaturområde, hvilket gør den til et ideelt valg til en lang række biler. Dens overholdelse af industristandarder som f.eks. AEC Q101 betyder, at den har forbedret kvalitet og ydeevne, hvilket gør den velegnet til automotive kredsløb, der kræver intens strømhåndtering. Denne enhed har høj effektivitet i et kompakt hus, hvilket sikrer pålidelighed gennem omfattende elektrisk test og validering.
N-kanalforbedringstilstand til effektiv omskiftning
Udvidede kvalifikationer øger bilernes pålidelighed
Høj varmebestandighed for holdbarhed under stress
Lavine-testet for robust ydeevne
Mærkeværdi MSL1 understøtter 260 °C peak reflow
100 % elektrisk karakterisering sikrer ensartethed
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 503 A 60 V Forbedring PG-HDSOP-16-1, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 454 A 60 V Forbedring PG-HDSOP-16, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 331 A 120 V Forbedring PG-HDSOP-16, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 120 A 120 V Forbedring PG-HDSOP-16-1, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 21 A 650 V Forbedring PG-HDSOP-10, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 72 A 650 V Forbedring PG-HDSOP-10, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 57 A 650 V Forbedring PG-HDSOP-10-1, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 82 A 650 V Forbedring PG-HDSOP-16, IMLT65
