Infineon N-Kanal, MOSFET, 63 A 650 V Forbedring, 8 Ben, PG-HSOF-8, 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device
- RS-varenummer:
- 284-900P
- Producentens varenummer:
- IPT65R040CFD7XTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (10 enheder, leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 673,90
(ekskl. moms)
Kr. 842,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 96 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 - 99 | Kr. 67,39 |
| 100 - 499 | Kr. 62,23 |
| 500 - 999 | Kr. 57,60 |
| 1000 + | Kr. 51,76 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 284-900P
- Producentens varenummer:
- IPT65R040CFD7XTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 63A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | PG-HSOF-8 | |
| Serie | 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 40mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 97nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 347W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 63A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype PG-HSOF-8 | ||
Serie 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 40mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 97nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 347W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser JEDEC | ||
Infineon MOSFET er en banebrydende MOSFET designet til højeffektive switching-applikationer. Dette produkt er et eksempel på fremragende termisk ydeevne, hvilket gør det velegnet til brug i krævende miljøer som f.eks. server- og telekommunikationssektorer. Med sin innovative CoolMOS CFD7-teknologi lover den enestående pålidelighed og effektivitet, især i resonansswitching-topologier, herunder LLC- og faseskift-fuldbro-applikationer. Denne MOSFET er et fremskridt i forhold til sin forgænger med forbedrede skifteegenskaber og en lav on state-modstand, hvilket optimerer effekttætheden og forbedrer den samlede effektivitet af dine designs. Enheden er bygget til at opfylde de strenge standarder for industrielle applikationer og giver fremragende robusthed ved hård kommutation, samtidig med at den opretholder en enestående ydeevne over et bredt temperaturområde.
Ultrahurtig kropsdiode minimerer koblingstab
Klassens bedste RDS(on) til effektivitetsforbedringer
Robust mod hård kommutering for pålidelighed
Håndterer øget busspænding for sikkerhed
Optimeret til høj effekttæthed i kompakte konstruktioner
Udmærker sig under lette belastningsforhold til industrielle SMPS-applikationer