onsemi N-Kanal, MOSFET, 50 A 650 V N, 4 Ben, TO-247-4L, NTH
- RS-varenummer:
- 327-805P
- Producentens varenummer:
- NTH4L032N065M3S
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (10 enheder, leveres i et rør)*
Kr. 601,40
(ekskl. moms)
Kr. 751,80
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 - 99 | Kr. 60,14 |
| 100 - 499 | Kr. 55,28 |
| 500 - 999 | Kr. 51,24 |
| 1000 + | Kr. 41,81 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 327-805P
- Producentens varenummer:
- NTH4L032N065M3S
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-247-4L | |
| Serie | NTH | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 44mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 55nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 6V | |
| Portkildespænding maks. | 22V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 187W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free 2LI | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-247-4L | ||
Serie NTH | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 44mΩ | ||
Kanalform N | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 55nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 6V | ||
Portkildespænding maks. 22V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 187W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free 2LI | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
ON Semiconductor Silicon Carbide (SiC) MOSFET, EliteSiC, er en 650 V, 32 mΩ enhed i M3S TO247-4L-pakken. Den har ultralav gate-ladning (QG(tot) = 55 nC) og højhastigheds-switching med lav kapacitans (Coss = 114 pF). Enheden er 100 % lavinetestet og er halidfri og RoHS-kompatibel med undtagelse 7a. Den er også Pb-fri på det andet forbindelsesniveau, hvilket gør den velegnet til krævende applikationer inden for effektelektronik.
Høj effektivitet og reducerede koblingstab
Robust og pålidelig drift i barske miljøer
Ideel til bilindustrien og vedvarende energi