onsemi N-Kanal, MOSFET, 50 A 650 V N, 4 Ben, TO-247-4L, NVH
- RS-varenummer:
- 327-806P
- Producentens varenummer:
- NVH4L023N065M3S
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (10 enheder, leveres i et rør)*
Kr. 947,90
(ekskl. moms)
Kr. 1.184,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 446 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 - 99 | Kr. 94,79 |
| 100 + | Kr. 87,41 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 327-806P
- Producentens varenummer:
- NVH4L023N065M3S
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-247-4L | |
| Serie | NVH | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 44mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Portkildespænding maks. | 22V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 4.5V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 55nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 187W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free 2LI | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-247-4L | ||
Serie NVH | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 44mΩ | ||
Kanalform N | ||
Portkildespænding maks. 22V | ||
Gennemgangsspænding Vf 4.5V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 55nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 187W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free 2LI | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
ON Semiconductor Silicon Carbide (SiC) MOSFET, EliteSiC, er en 650 V, 23 mΩ enhed i M3S TO-247-4L-pakken. Den er designet til højeffektiv, højtydende strømkonvertering med lav on-modstand og hurtig omskiftning. Denne MOSFET er ideel til applikationer i bilindustrien, industrien og systemer til vedvarende energi og sikrer pålidelig drift under krævende forhold.
Enhederne er Pb-fri og RoHS-kompatible
Kvalificeret til bilindustrien i henhold til AEC Q101