onsemi N-Kanal, MOSFET, 60 A 30 V Forbedring, 39 Ben, PQFN-39, NCP303160A
- RS-varenummer:
- 333-409P
- Producentens varenummer:
- NCP303160AMNTWG
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 20 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 440,60
(ekskl. moms)
Kr. 550,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.846 enhed(er) afsendes fra 05. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 20 - 198 | Kr. 22,03 |
| 200 - 998 | Kr. 20,345 |
| 1000 - 1998 | Kr. 18,85 |
| 2000 + | Kr. 15,335 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 333-409P
- Producentens varenummer:
- NCP303160AMNTWG
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 60A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PQFN-39 | |
| Serie | NCP303160A | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 39 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 350mV | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 13.5W | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 60A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PQFN-39 | ||
Serie NCP303160A | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 39 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 350mV | ||
Effektafsættelse maks. Pd 13.5W | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
ON Semiconductors integrerede driver og MOSFET med integreret strømmonitor integrerer en MOSFET-driver, high-side MOSFET og low-side MOSFET i en enkelt pakke. Driveren og MOSFET'erne er optimeret til DC-DC buck-strømkonverteringsapplikationer med høj strømstyrke. Den integrerede løsning reducerer i høj grad pakkeparasitterne og pladsen på printet sammenlignet med en løsning med diskrete komponenter.
Præcis overvågning af strømstyrke
Intern bootstrap-diode
PQFN39-pakke
Pb-fri
I overensstemmelse med RoHS