onsemi N-Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Forbedring, 8 Ben, HPSOF-8L, EliteSiC
- RS-varenummer:
- 333-416P
- Producentens varenummer:
- NTBL032N065M3S
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 10 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 415,10
(ekskl. moms)
Kr. 518,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.970 enhed(er) afsendes fra 05. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 - 99 | Kr. 41,51 |
| 100 - 499 | Kr. 38,29 |
| 500 - 999 | Kr. 35,44 |
| 1000 + | Kr. 28,95 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 333-416P
- Producentens varenummer:
- NTBL032N065M3S
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 55A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | HPSOF-8L | |
| Serie | EliteSiC | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 8 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 55nC | |
| Portkildespænding maks. | 22V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 227W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 6V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 9.9mm | |
| Bredde | 10.38mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free | |
| Højde | 2.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 55A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype HPSOF-8L | ||
Serie EliteSiC | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 8 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 55nC | ||
Portkildespænding maks. 22V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 227W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 6V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 9.9mm | ||
Bredde 10.38mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free | ||
Højde 2.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
ON Semiconductor SiC MOSFET er designet til effektiv strømskiftning med lave ledningstab og forbedret termisk ydeevne. Den kompakte struktur sikrer pålidelig drift i applikationer med høj effekt, samtidig med at den minimerer pladsbehovet. Denne enhed er optimeret til energieffektivitet, hvilket reducerer systemets samlede strømforbrug.
H PSOF8L-pakke
I overensstemmelse med RoHS
Pb-fri