Infineon N-Kanal, MOSFET, 173 A 750 V Forbedring, 22 Ben, PG-HDSOP-22, CoolSiC AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 348-928
- Producentens varenummer:
- AIMDQ75R008M1HXUMA1
- Brand:
- Infineon
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 348-928
- Producentens varenummer:
- AIMDQ75R008M1HXUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 173A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 750V | |
| Emballagetype | PG-HDSOP-22 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 22 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 10.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 178nC | |
| Portkildespænding maks. | 23V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 625W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 173A | ||
Drain source spænding maks. Vds 750V | ||
Emballagetype PG-HDSOP-22 | ||
Serie CoolSiC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 22 | ||
Drain source modstand maks. Rds 10.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 178nC | ||
Portkildespænding maks. 23V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 625W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon 750 V CoolSiC MOSFET er bygget over den solide siliciumcarbid-teknologi, som Infineon har udviklet i mere end 20 år. 750V CoolSiC MOSFET udnytter materialets egenskaber med bredt båndgab og tilbyder en unik kombination af ydeevne, pålidelighed og brugervenlighed. Den er velegnet til høje temperaturer og barsk drift og muliggør en forenklet og omkostningseffektiv implementering af den højeste systemeffektivitet.
Infineons proprietære die attach-teknologi
Driverens kildestift er tilgængelig
Forbedret robusthed og pålidelighed for busspændinger over 500 V
Overlegen effektivitet ved hård omskiftning
Højere skiftefrekvens i soft switching-topologier
Robusthed over for parasitære tændinger ved unipolær gate-drift
Klassens bedste varmeafledning
Reducerede koblingstab gennem forbedret gatekontrol
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 173 A 750 V Forbedring PG-HDSOP-22, CoolSiC
- Infineon N-Kanal 24 A 750 V Forbedring PG-HDSOP-22, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 47 A 750 V Forbedring PG-HDSOP-22, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 81 A 750 V Forbedring PG-HDSOP-22, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 64 A 750 V Forbedring PG-HDSOP-22, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 17 A 750 V Forbedring PG-HDSOP-22, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 34 A 750 V Forbedring PG-HDSOP-22, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 98 A 750 V Forbedring PG-HDSOP-22, CoolSiC AEC-Q101