Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 268 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PG-TDSON-8-34, OptiMOS-TM7 AEC-Q101

RS-varenummer:: 349-010
Producentens varenummer:: IAUCN04S7N009ATMA1
Brand:: Infineon

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 268 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PG-TDSON-8-34, OptiMOS-TM7 AEC-Q101

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 103,93

(ekskl. moms)

Kr. 129,91

(inkl. moms)

Tilføj 50 enheder for at opnå gratis levering

Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.

Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
10 - 90	Kr. 10,393	Kr. 103,93
100 - 240	Kr. 9,874	Kr. 98,74
250 +	Kr. 9,148	Kr. 91,48

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 349-010
Producentens varenummer:: IAUCN04S7N009ATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	268A
	Drain source spænding maks. Vds	40V
	Emballagetype	PG-TDSON-8-34
	Serie	OptiMOS-TM7
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	1.2mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	20 V
	Effektafsættelse maks. Pd	145W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	57nC
	Gennemgangsspænding Vf	0.8V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Standarder/godkendelser	AEC-Q101, RoHS
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 268A
	Drain source spænding maks. Vds 40V
	Emballagetype PG-TDSON-8-34
	Serie OptiMOS-TM7
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 1.2mΩ
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 20 V
	Effektafsættelse maks. Pd 145W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 57nC
	Gennemgangsspænding Vf 0.8V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Standarder/godkendelser AEC-Q101, RoHS
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Datasheet - IAUCN04S7N009ATMA1

COO (Country of Origin):: MY

Infineon IAU seriens MOSFET, 268 A maksimal kontinuerlig drænstrøm, 40 V maksimal drænkildespænding - IAUCN04S7N009ATMA1

Denne kabelforskruning er en højkvalitets, holdbar løsning, der er designet til M20 gevindstørrelser. Den er fremstillet af støbt plast og har tæthedsgrad IP67, hvilket sikrer fremragende beskyttelse mod støv og fugt i forskellige miljøer. Med en kabeldiameter

Funktioner og fordele

• Støbt plastkonstruktion sikrer letvægts og elastisk ydeevne

• Tæthedsgrad IP67 giver pålidelig vandtæt beskyttelse af kabler

• Velegnet til kabler mellem 5 mm og 13 mm i diameter

• Konstrueret til nem installation i kabelstyringssystemer

• Kan effektivt rumme gevindstørrelser M20 x 1,5 for kompatibilitet

• Bulk-emballage giver bekvemmelighed til store anvendelser

Anvendelsesområder

• Bruges til at forsegle og beskytte elektriske forbindelser i industrielle miljøer

• Velegnet til udendørs installationer og installationer i barske miljøer

• Effektiv til at sikre pålidelig kabelindføring i maskiner og udstyr

• Velegnet til placering af kontakter i automation

• Væsentlig til opretholdelse af integritet i elektriske rørfittings

Hvilken type materiale bruges til konstruktion?

Kabelforskruningen er fremstillet af holdbar støbt plast, som giver styrke og modstandsdygtighed over for miljøfaktorer.

Hvordan er tæthedsgrad IP67 fordelen ved installation?

Tæthedsgrad IP67 sikrer fuldstændig beskyttelse mod støv og nedsænkning i vand, hvilket gør den velegnet til brug i forskellige udendørs og industrielle anvendelser.

Kan dette bruges til forskellige kabelstørrelser?

Ja, den kan rumme en

Hvilken gevindkompatibilitet er tilgængelig?

Den er designet med et M20x1,5 gevind, hvilket gør den velegnet til en række kabelstyringssystemer.

Er dette produkt egnet til udendørs brug?

Ja, med tæthedsgrad IP67 er den velegnet til udendørs brug, hvor beskyttelse mod fugt og støv er afgørende.