ROHM Type P-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 6 A -20 V Forbedring, 8 Ben, DFN1616-6W, RV4 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 646-539P
- Producentens varenummer:
- RV4C060ZPHZGTCR1
- Brand:
- ROHM
Få rabat ved storkøb
Tilføj 250 flere for at gemme 9%
Se mængderabatterIndhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 222,90
(ekskl. moms)
Kr. 278,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 100 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 100 - 240 | Kr. 2,229 | - |
| 250 - 990 | Kr. 2,012 | 9% |
| 1000 - 4990 | Kr. 1,623 | 27% |
| 5000 + | Kr. 1,578 | 29% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 646-539P
- Producentens varenummer:
- RV4C060ZPHZGTCR1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -20V | |
| Emballagetype | DFN1616-6W | |
| Serie | RV4 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 70mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 8V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.5W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 12nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 800μm | |
| Længde | 1.7mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 1.7mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6A | ||
Drain source spænding maks. Vds -20V | ||
Emballagetype DFN1616-6W | ||
Serie RV4 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 70mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 8V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.5W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 800μm | ||
Længde 1.7mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 1.7mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
ROHM P-kanal 20 volt 6 ampere lille signal metaloxid halvleder felttransistor er 100 procent uklæbt induktiv omskiftning testet med våd bordflade til automatiseret optisk inspektion og 130 mikrometer elektrode delgaranti.
Lav modstand ved tændt
Lille pakke med høj effekt
Lavspændingsdrev (1,5 V)