ROHM N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 40 A 150 V Forbedring, 3 Ben, TO-263AB, RJ1

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold 20 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 252,10

(ekskl. moms)

Kr. 315,12

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
20 - 98Kr. 12,605
100 - 198Kr. 11,295
200 +Kr. 8,975

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
646-551P
Producentens varenummer:
RJ1R04BBHTL1
Brand:
ROHM
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

ROHM

Kanaltype

N

Produkttype

Enkelt MOSFET'er

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

40A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Serie

RJ1

Emballagetype

TO-263AB

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

27mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

89W

Portkildespænding maks.

20V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

37nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

15.5mm

Højde

4.77mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bredde

10.36mm

Bilindustristandarder

Nej

ROHM N-kanal 150 volt 40 ampere metaloxidtransistor med halvleder-felteffekt har lav modstand ved tænding, en højtydende hustype TO to seks tre AB, blyfri belægning og er i overensstemmelse med begrænsningen af farlige stoffer.

Halogenfri

100 % Rg- og UIS-testet

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.