ROHM N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 3 A 30 V Forbedring, 3 Ben, MPT3, R4P AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 646-552P
- Producentens varenummer:
- R4P030N03HZGT100
- Brand:
- ROHM
Få rabat ved storkøb
Tilføj 250 flere for at gemme Kr. 56,25
Se mængderabatterIndhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 228,90
(ekskl. moms)
Kr. 286,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 990 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 100 - 240 | Kr. 2,289 | - |
| 250 - 990 | Kr. 2,064 | Kr. 56,25 |
| 1000 - 4990 | Kr. 1,668 | Kr. 621,00 |
| 5000 + | Kr. 1,623 | Kr. 3.330,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 646-552P
- Producentens varenummer:
- R4P030N03HZGT100
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | MPT3 | |
| Serie | R4P | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 120mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.5nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 0.5W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.6mm | |
| Længde | 4.3mm | |
| Bredde | 4.7mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype MPT3 | ||
Serie R4P | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 120mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.5nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 0.5W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.6mm | ||
Længde 4.3mm | ||
Bredde 4.7mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
ROHM 4 volt drev N-kanal metaloxid halvleder felttransistor har lav modstand ved tænding og understøtter 4 volt drevdrift.
AEC-Q101 kvalificeret