onsemi N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 66 A 40 V Forbedring, 5 Ben, DFN-5, NVM AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 648-508P
- Producentens varenummer:
- NVMFWS004N04XMT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (100 enheder, leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 452,50
(ekskl. moms)
Kr. 565,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 100 - 490 | Kr. 4,525 |
| 500 - 990 | Kr. 2,723 |
| 1000 + | Kr. 2,693 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 648-508P
- Producentens varenummer:
- NVMFWS004N04XMT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 66A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | NVM | |
| Emballagetype | DFN-5 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 38W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10.6nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6mm | |
| Standarder/godkendelser | PPAP capable, Halogen Free/BFR Free, Pb Free, RoHS | |
| Bredde | 5mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 66A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie NVM | ||
Emballagetype DFN-5 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 38W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10.6nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6mm | ||
Standarder/godkendelser PPAP capable, Halogen Free/BFR Free, Pb Free, RoHS | ||
Bredde 5mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
ON Semiconductor Power MOSFET til brug i biler i et 5 x 6 mm fladt ledningshus designet til kompakte og effektive designs og inklusive høj termisk ydeevne. Vandbar flanke kan leveres til forbedret optisk inspektion. AEC-Q101 kvalificeret MOSFET og PPAP-kompatibel, velegnet til brug i biler.
Lille fodaftryk
Lav RDS(on)
Lav QG og kapacitet
Vådbar flankefunktion
AEC−Q101-kvalificeret og PPAP-kompatibel
I overensstemmelse med RoHS