onsemi N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 178 A 40 V Forbedring, 8 Ben, WDFN8, NTT
- RS-varenummer:
- 648-510P
- Producentens varenummer:
- NTTFS1D4N04XMTAG
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (50 enheder, leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 323,10
(ekskl. moms)
Kr. 403,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 1.500 enhed(er) afsendes fra 06. januar 2027
- Plus 1.500 enhed(er) afsendes fra 07. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 245 | Kr. 6,462 |
| 250 - 495 | Kr. 3,754 |
| 500 + | Kr. 3,666 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 648-510P
- Producentens varenummer:
- NTTFS1D4N04XMTAG
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 178A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | WDFN8 | |
| Serie | NTT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.43mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 35.4nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 83W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, Pb-Free | |
| Bredde | 3.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 178A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype WDFN8 | ||
Serie NTT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.43mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 35.4nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 83W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, Pb-Free | ||
Bredde 3.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
ON Semiconductors seneste 40 V standard gate-niveau Power MOSFET-teknologi med bedste i klassen on-modstand til motordrivere. Lavere On-Resistance og mindre gate-ladning kan reducere ledningstab og drivtab. God blødhedsstyring til omvendt genopretning af husdiode kan reducere spændingsspidsbelastning uden ekstra snubberkredsløb i anvendelser.
Lav RDS(on)
Lav kapacitet
Lille fodaftryk