Vishay Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 94 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK, SQS146 AEC-Q101 SQS146ELNW-T1_GE3
- RS-varenummer:
- 653-075
- Producentens varenummer:
- SQS146ELNW-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 7.911,00
(ekskl. moms)
Kr. 9.888,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 17. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 2,637 | Kr. 7.911,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 653-075
- Producentens varenummer:
- SQS146ELNW-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 94A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | PowerPAK | |
| Serie | SQS146 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0052Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 91W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 26nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 3.3 mm | |
| Højde | 0.75mm | |
| Længde | 3.3mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 94A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype PowerPAK | ||
Serie SQS146 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0052Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 91W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 26nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 3.3 mm | ||
Højde 0.75mm | ||
Længde 3.3mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay N-kanals MOSFET i bilkvalitet er designet til højeffektiv omskiftning i kompakte strømforsyningssystemer. Den understøtter op til 40 V afløbs-kildespænding og fungerer pålideligt ved sammenkoblingstemperaturer op til 175 °C. Pakket i PowerPAK 1212-8SLW har den TrenchFET Gen IV-teknologi for fremragende termisk og elektrisk ydeevne.
AEC Q101 kvalificeret
Pb-fri
Halogenfri
I overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 94 A 40 V Forbedring PowerPAK, SQS146 AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal -54.5 A 60 V Forbedring PowerPAK, SQJA61EP AEC-Q101 SQJA61EP-T1_GE3
- Vishay Type P-Kanal 6.9 A -40 V Forbedring PowerPAK, SQ3419CEV AEC-Q101 SQ3427CEV-T1_GE3
- Vishay Type P-Kanal 24 A -40 V Forbedring PowerPAK, SQJ443 AEC-Q101 SQJ443AEP-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 136 A 100 V Forbedring PowerPAK, SQJQ114EL AEC-Q101 SQJQ114EL-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 413 A 40 V Forbedring PowerPAK, SQJQ140ER AEC-Q101 SQJQ140ER-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 345 A 40 V Forbedring PowerPAK, SQJQ14 AEC-Q101 SQJQ142ER-T1_GE3
- Vishay Type P-Kanal -232 A -40 V Forbedring PowerPAK, SQJ141ELP AEC-Q101 SQJ141ELP-T1_GE3