Vishay Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 413 A 40 V Forbedring, 4 Ben, PowerPAK, SQJQ140ER AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 653-125
- Producentens varenummer:
- SQJQ140ER-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 36,73
(ekskl. moms)
Kr. 45,91
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 29. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 36,73 |
| 10 - 24 | Kr. 35,46 |
| 25 - 99 | Kr. 34,86 |
| 100 - 499 | Kr. 29,70 |
| 500 + | Kr. 27,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 653-125
- Producentens varenummer:
- SQJQ140ER-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 413A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | PowerPAK | |
| Serie | SQJQ140ER | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.00065Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 288nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 214W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 1.6mm | |
| Længde | 10.42mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 413A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype PowerPAK | ||
Serie SQJQ140ER | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.00065Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 288nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 214W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 1.6mm | ||
Længde 10.42mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay N-kanal MOSFET i bilkvalitet er konstrueret til højeffektiv omskiftning i kompakte systemer med høj effekttæthed. Den understøtter op til 40 V afløbs-kildespænding og giver fremragende strømstyrke med op til 413 A ved 175 °C. Den er indkapslet i et tyndt PowerPAK 8x8LR hus og udnytter TrenchFET Gen IV-teknologi for ultralav RDS(on) og fremragende termisk ydeevne.
AEC Q101 kvalificeret
Pb-fri
Halogenfri
I overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 413 A 40 V Forbedring PowerPAK, SQJQ140ER AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 19.6 A 100 V Forbedring PowerPAK, SQJ190 AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 6 A 30 V Forbedring PowerPAK, SQ2310CES AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 345 A 40 V Forbedring PowerPAK, SQJQ14 AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 94 A 40 V Forbedring PowerPAK, SQS146 AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 54 A 72 V Forbedring PowerPAK, SQS178EL AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 136 A 100 V Forbedring PowerPAK, SQJQ114EL AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 87 A 72 V Forbedring PowerPAK, SQS174ELNW AEC-Q101