Vishay Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 144 A 150 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK, SIRS5700DP Nej SIRS5700DP-T1-RE3
- RS-varenummer:
- 653-128
- Producentens varenummer:
- SIRS5700DP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 51.132,00
(ekskl. moms)
Kr. 63.915,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 19. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 17,044 | Kr. 51.132,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 653-128
- Producentens varenummer:
- SIRS5700DP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 144A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | PowerPAK | |
| Serie | SIRS5700DP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0056Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 55nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 278W | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.95mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 5.1 mm | |
| Længde | 6.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 144A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype PowerPAK | ||
Serie SIRS5700DP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0056Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 55nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 278W | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.95mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 5.1 mm | ||
Længde 6.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay N-kanals MOSFET er designet til højeffektiv omskiftning i systemer med høj effekttæthed. Den understøtter op til 150 V afløbs-kildespænding. Pakket i PowerPAK SO-8S udnytter den TrenchFET Gen V-teknologi til at levere ultralav RDS(on), reduceret gate-opladning og fremragende termisk ydeevne.
Pb-fri
Halogenfri
I overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 144 A 150 V Forbedring PowerPAK, SIRS5700DP Nej
- Vishay Type N-Kanal 119 A 150 V Forbedring PowerPAK, SIRS5702DP Nej SIRS5702DP-T1-RE3
- Vishay Type N-Kanal 45.3 A 80 V Forbedring PowerPAK, SIR5812DP Nej SIR5812DP-T1-RE3
- Vishay Type N-Kanal 680 A 30 V Forbedring PowerPAK, SIRS4300DP Nej SIRS4300DP-T1-RE3
- Vishay Type N-Kanal 119 A 150 V Forbedring PowerPAK, SIRS5702DP Nej
- Vishay Type N-Kanal 680 A 30 V Forbedring PowerPAK, SIRS4300DP Nej
- Vishay Type N-Kanal 45.3 A 80 V Forbedring PowerPAK, SIR5812DP Nej
- Vishay Type N-Kanal 18 A 150 V Forbedring PowerPAK, SIS5712DN Nej SIS5712DN-T1-GE3
