Vishay N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 62.8 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK, SIS4406DN
- RS-varenummer:
- 653-146
- Producentens varenummer:
- SIS4406DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (3000 enheder, på en rulle med 3000)*
Kr. 10.593,00
(ekskl. moms)
Kr. 13.242,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 3,531 | Kr. 10.593,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 653-146
- Producentens varenummer:
- SIS4406DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 62.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | PowerPAK | |
| Serie | SIS4406DN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.00475Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 33.7W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 23.7nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.41mm | |
| Længde | 3.3mm | |
| Bredde | 3.3mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 62.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype PowerPAK | ||
Serie SIS4406DN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.00475Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 33.7W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 23.7nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.41mm | ||
Længde 3.3mm | ||
Bredde 3.3mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay N-kanals MOSFET er designet til højeffektiv omskiftning i kompakte strømforsyningssystemer. Den understøtter op til 40 V afløbs-kildespænding. Pakket i PowerPAK 1212-8 udnytter den TrenchFET Gen IV-teknologi til at levere lav gate-ladning (Qg), reduceret udgangsladning (Qoss) og optimeret switching-ydeevne.
Pb-fri
Halogenfri
I overensstemmelse med RoHS