Vishay N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 172 A 20 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK, SISS5208DN

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 bånd af 1 enhed)*

Kr. 9,50

(ekskl. moms)

Kr. 11,88

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 5.950 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Bånd
Pr bånd
1 - 24Kr. 9,50
25 - 99Kr. 9,35
100 - 499Kr. 8,98
500 - 999Kr. 7,63
1000 +Kr. 7,33

*Vejledende pris

RS-varenummer:
653-149
Producentens varenummer:
SISS5208DN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N

Produkttype

Enkelt MOSFET'er

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

172A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Serie

SISS5208DN

Emballagetype

PowerPAK

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.0013Ω

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

56.8W

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Portkildespænding maks.

8V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

24.6nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

3.4mm

Bredde

3.4mm

Højde

830μm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Vishay SISS5208DN seriens enkelte MOSFET'er, 20 V maksimal drain source-spænding, 172 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SISS5208DN-T1-GE3


Denne enkelt MOSFET er en overflademonteret N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til højstrømsomskiftning i kompakte strømsamlinger. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er beregnet til anvendelser, der kræver hurtig omskiftning og betydelig kontinuerlig aftapningskapacitet, samtidig med at den opretholder effektiv termisk adfærd.

Egenskaber og fordele:


• 172 A kontinuerlig afløbsstrøm muliggør håndtering af høj belastning • 20 V drain-source-klassificering understøtter lavspændingsstrømskinner • 0,0013 Ω Rds(on) reducerer ledningstab • 24,6 nC gate-ladning giver mulighed for kontrolleret koblingsdynamik • 56,8 W effekttab styrer termisk stress under belastning • Maksimal driftstemperatur på 150 °C muliggør brug i høje miljøer

Anvendelser


• Velegnet til motordrevstrin i automatiseringsudstyr • Ideel til DC-DC-omformere med høj strømstyrke i strømforsyninger • Anvendes til belastningsswitching i industrielle kontrolpaneler • Kan bruges til H-broudgangstrin i robotteknologi • Anvendes sammen med højeffekts MOSFET-arrays i invertermoduler

Hvilket gate-spændingsområde skal jeg planlægge i gate-driverdesign?


Enheden accepterer gate-source-spændinger op til 8 V, så en gate-driver, der giver Vgs inden for denne grænse, sikrer sikker drift.

Hvordan påvirker pakken printkortlayout og termiske ruter?


PowerPAK-pakken til overflademontering koncentrerer termiske og elektriske forbindelser på et lille fodaftryk, så kobberhældninger og termiske ledninger anbefales til at sprede enhedens 56,8 W effekttab.

Hvilke omgivelsesforhold er tilladte for pålidelig drift?


Komponenten er klassificeret til drift ned til -55 °C og op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i barske industrielle temperaturområder.

Hvordan skal indkoblingsstrømme eller transientstrømme overvejes i designet?


Med en lav Rds(on) på 0,0013 Ω og høj kontinuerlig strømkapacitet skal transientbelastning vurderes mod overspændingskapaciteter og mærkestrøm for printkort for at forhindre overbelastning.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.