Vishay Type P-Kanal, Enkelt MOSFET'er, -6.9 A -40 V Forbedring, 6 Ben, TSOP-6, SQ3419CEV AEC-Q101

RS-varenummer:: 653-161
Producentens varenummer:: SQ3419CEV-T1_GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type P-Kanal, Enkelt MOSFET'er, -6.9 A -40 V Forbedring, 6 Ben, TSOP-6, SQ3419CEV AEC-Q101

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 6.030,00

(ekskl. moms)

Kr. 7.530,00

(inkl. moms)

Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
3000 +	Kr. 2,01	Kr. 6.030,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 653-161
Producentens varenummer:: SQ3419CEV-T1_GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	Type P
	Produkttype	Enkelt MOSFET'er
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	-6.9A
	Drain source spænding maks. Vds	-40V
	Serie	SQ3419CEV
	Emballagetype	TSOP-6
	Monteringstype	Printmontering
	Benantal	6
	Drain source modstand maks. Rds	0.092Ω
	Kanalform	Forbedring
	Portkildespænding maks.	20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	11.3nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	-1.2V
	Effektafsættelse maks. Pd	5W
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Bredde	2.98mm
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Længde	3.10mm
	Højde	1.1mm
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype Type P
	Produkttype Enkelt MOSFET'er
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -6.9A
	Drain source spænding maks. Vds -40V
	Serie SQ3419CEV
	Emballagetype TSOP-6
	Monteringstype Printmontering
	Benantal 6
	Drain source modstand maks. Rds 0.092Ω
	Kanalform Forbedring
	Portkildespænding maks. 20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 11.3nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf -1.2V
	Effektafsættelse maks. Pd 5W
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Bredde 2.98mm
	Standarder/godkendelser RoHS
	Længde 3.10mm
	Højde 1.1mm
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Datasheet - SQ3419CEV-T1_GE3

Vishay SQ3419CEV seriens enkelte MOSFET'er, -40 V drain-source-spænding, -6,9 A drain-strøm - SQ3419CEV-T1_GE3

Denne enkelt MOSFET-enhed er en P-kanalforstærkningstransistor, der er beregnet til printmontering i bil- og industrielle styresystemer. Designet til at fungere inden for krævende temperaturområder, understøtter den koblings- og belastningsstyringsopgaver, hvor en P-kanalkonfiguration foretrækkes. Komponenten leveres i en kompakt TSOP-6-pakke, der er velegnet til samlinger med begrænset plads og er i overensstemmelse med RoHS-standarder.

Egenskaber og fordele:

• 40 V maksimal drain-source-spænding giver hovedrum til bilsystemer • -6,9 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate effektbelastninger • 0,092 Ω lav Rds(on) reducerer ledningstab og varmeudvikling • 11,3 nC typisk gate-ladning muliggør forudsigelig omskiftning • 5 W effekttab muliggør vedvarende drift under belastning • Mærket til brug ved -55 °C til 175 °C i miljøer med høje temperaturer

Anvendelser

• Velegnet til batteristyring og belastningsswitching i køretøjer • Ideel til strømfordeling i elektroniske moduler til biler • Anvendes til polaritetsbeskyttelse og omvendt strømstyring i DC-kredsløb • Kan bruges til industriel styreelektronik med høje temperaturer

Hvilken hustype skal jeg tillade til kortlayout?

Komponenten leveres i et TSOP-6-hus med seks ben, hvilket kræver pude og termisk planlægning, der er kompatibel med overflademonteret printmontering.

Hvordan håndterer enheden kravene til portdrev?

Den tåler gate-source-spændinger på op til 20 V, hvilket muliggør kompatibilitet med almindelige gate-drivspændinger i biler og industri.

Hvilke miljøgrænser gælder under drift?

Enheden er specificeret til kontinuerlig brug ned til -55 °C og op til 175 °C, hvilket muliggør drift under brede termiske forhold.

Er der nogen standardgodkendelser, der er relevante for bildesign?

Den opfylder AEC-Q101-kravene og leveres i et RoHS-kompatibelt format, der er velegnet til lovgivningsmæssig produktion.