Vishay Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 18 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK, SQ7414CENW AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 653-186
- Producentens varenummer:
- SQ7414CENW-T1_JE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 6,13
(ekskl. moms)
Kr. 7,66
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 24 | Kr. 6,13 |
| 25 - 99 | Kr. 5,98 |
| 100 - 499 | Kr. 5,83 |
| 500 - 999 | Kr. 4,94 |
| 1000 + | Kr. 4,64 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 653-186
- Producentens varenummer:
- SQ7414CENW-T1_JE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 18A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | PowerPAK | |
| Serie | SQ7414CENW | |
| Monteringstype | Printmontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.028Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 25nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 62W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 3.4mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 1.12mm | |
| Længde | 3.4mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 18A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype PowerPAK | ||
Serie SQ7414CENW | ||
Monteringstype Printmontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.028Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 25nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 62W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 3.4mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 1.12mm | ||
Længde 3.4mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay SQ7414CENW seriens enkelte MOSFET'er, 60 V drain source-spænding, 18 A kontinuerlig drain-strøm - SQ7414CENW-T1_JE3
Denne enkelt MOSFET giver omskifter- og forstærkningskapacitet til strøm-elektroniske kredsløb i krævende bil- og industrielle sammenhænge. Designet som en N-kanalforbedringsenhed, den er beregnet til printkortmontering, hvor der kræves kontrolleret ledning og termisk modstandsdygtighed.
Egenskaber og fordele:
• 60 V maksimal afløbsspænding til højere spændingssystemer • 18 A kontinuerlig drænstrøm til håndtering af betydelige belastningsstrømme • 0,028 Ω modstand ved tænding reducerer ledningstab • 25 nC typisk gate-ladning for effektiv omskiftningskontrol • 62 W effekttab, der muliggør forhøjet effekthåndtering • 175 °C maks. driftstemperatur til miljøer med høje temperaturer
Anvendelser
• Velegnet til strømfordelingsmoduler til biler, der kræver AEC‐Q101-komponenter • Ideel til motordrevstrin i industrielle automatiseringssystemer • Anvendes til omskiftertrinfunktioner i strømstyringsenheder på printkort • Kan bruges til batteribeskyttelse og belastningsswitching i køretøjselektronik
Hvilke hensyn til gate-drev er nødvendige for effektiv omskiftning?
Brug en gate-driver, der er i stand til at forsyne og sinker strømme for at opnå den ønskede dv/dt givet den 25 nC typiske gate-ladning ved den anvendte gate-spænding.
Hvordan skal termisk styring tilgås på et printkort?
Giver termiske kanaler og et tilstrækkeligt kobberareal på printkortet til at sprede op til 62 W og opretholde samlingstemperaturer under sikre grænser ved de specificerede maks. 175 °C.
Hvilke grænser skal overholdes for sikre driftsspændinger?
Sørg for, at drain-kilde-spændingen aldrig overstiger 60 V, og gate-kilde-spændingen forbliver inden for ±20 V for at forhindre enhedsbelastning.
Er der overvejelser om langvarige omgivelsesmæssige ekstremer?
Design til drift ned til -55 °C og op til 175 °C maksimal enhedstemperatur, valg af materialer og layouter, der passer til termisk cykling og udvidelse.
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 18 A 60 V Forbedring PowerPAK, SQ3426CE AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 7 A 60 V Forbedring TSOP-6, SQ3426CE AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 18 A 150 V Forbedring PowerPAK, SIS5712DN
- Vishay Type N-Kanal 18 A 150 V Forbedring PowerPAK, SIR5712DP
- Vishay Type N-Kanal 19.6 A 100 V Forbedring PowerPAK, SQJ190 AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 6 A 30 V Forbedring PowerPAK, SQ2310CES AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 345 A 40 V Forbedring PowerPAK, SQJQ14 AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 94 A 40 V Forbedring PowerPAK, SQS146 AEC-Q101
