ROHM N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 300 A 100 V Forbedring, 8 Ben, DFN8080T8LSHAAI, RY7P250BM
- RS-varenummer:
- 687-343P
- Producentens varenummer:
- RY7P250BMTBC
- Brand:
- ROHM
Få rabat ved storkøb
Tilføj 100 flere for at gemme 10%
Se mængderabatterIndhold 20 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 731,30
(ekskl. moms)
Kr. 914,12
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 134 enhed(er) afsendes fra 26. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 20 - 98 | Kr. 36,565 | - |
| 100 - 198 | Kr. 32,85 | 10% |
| 200 + | Kr. 25,805 | 29% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-343P
- Producentens varenummer:
- RY7P250BMTBC
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 300A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | DFN8080T8LSHAAI | |
| Serie | RY7P250BM | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.86mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 340W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 240nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.7mm | |
| Længde | 1.7mm | |
| Højde | 800μm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 300A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype DFN8080T8LSHAAI | ||
Serie RY7P250BM | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.86mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 340W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 240nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.7mm | ||
Længde 1.7mm | ||
Højde 800μm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM Power MOSFET er designet til krævende anvendelser, der kræver fremragende effektivitet og pålidelighed. Denne MOSFET er velegnet til brug i Hot Swap-kontrollere og andre strømswitching-anvendelser, hvor den lave modstand ved tænding på 1,86 mΩ sikrer minimalt energitab under drift. Denne komponent er RoHS og halogenfri, hvilket gør den til et sikkert valg til miljøbevidste design. Med avancerede funktioner som f.eks. 100 % Rg og UIS-test garanterer den robust ydeevne under varierende forhold, hvilket gør den velegnet til elektroniske kredsløb med høj ydeevne og høj pålidelighed.
Lav modstand ved tænding for øget effektivitet
Wide-SOA-egenskaber for overlegen pålidelighed
Designet til at håndtere kontinuerlige afløbsstrømme op til 250 A
Høj pulse-drain-strømkapacitet ved ±900 A
Fremragende termisk styring med termisk modstand på 0,44 °C/W
Velegnet til et bredt driftstemperaturområde på -55 til +175 °C
I overensstemmelse med RoHS og halogenfri standarder.