ROHM Type P-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 80 A -30 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3E08BBJHRB AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 687-362P
- Producentens varenummer:
- RD3E08BBJHRBTL
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 20 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 212,60
(ekskl. moms)
Kr. 265,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 84 enhed(er) afsendes fra 19. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 20 - 48 | Kr. 10,63 |
| 50 - 198 | Kr. 9,535 |
| 200 - 998 | Kr. 7,70 |
| 1000 + | Kr. 7,525 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-362P
- Producentens varenummer:
- RD3E08BBJHRBTL
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 80A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -30V | |
| Emballagetype | TO-252 (TL) | |
| Serie | RD3E08BBJHRB | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 142W | |
| Portkildespænding maks. | 5V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 150nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 6.8mm | |
| Længde | 10.5mm | |
| Højde | 2.3mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101, RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 80A | ||
Drain source spænding maks. Vds -30V | ||
Emballagetype TO-252 (TL) | ||
Serie RD3E08BBJHRB | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 142W | ||
Portkildespænding maks. 5V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 150nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 6.8mm | ||
Længde 10.5mm | ||
Højde 2.3mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101, RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
ROHM Power MOSFET er designet til krævende anvendelser, der kræver lav modstand ved tænding og høj strømhåndtering. Denne robuste enhed fungerer ved en maksimal drain-source-spænding på -30 V og en kontinuerlig drain-strøm på ±80 A, hvilket sikrer effektiv ydeevne i strømstyringssystemer. Dens innovative konstruktion omfatter en termisk modstand på kun 1,05 °C/W, hvilket optimerer pålideligheden og letter effektiv varmeafledning. Med AEC-Q101-kvalificeringen er denne MOSFET velegnet til brug i biler, fungerer i miljøer, der er tilbøjelige til ekstreme temperaturvariationer, og sikrer pålidelig drift under krævende forhold.
Leverer lav modstand på 3,7 mΩ, hvilket forbedrer effektiviteten og minimerer energitab
Kapacitet for pulserende afløbsstrøm på ±160 A, der passer til anvendelser med høj efterspørgsel
Gate-source mærkespænding på +5/-20 V sikrer alsidig drift og robust styring
Kan samles i en DPAK-pakke for effektiv termisk styring og kompakt bundareal
Avalanche-testet for forbedret pålidelighed i elektriske miljøer med høj belastning
AEC Q101-kvalificeret, hvilket gør den ideel til sikkerhedskritiske bilapplikationer.