ROHM Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 40 A -40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG087FGD3HRB AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 687-378P
- Producentens varenummer:
- AG087FGD3HRBTL
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 20 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 102,40
(ekskl. moms)
Kr. 128,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 90 enhed(er) afsendes fra 26. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 20 - 48 | Kr. 5,12 |
| 50 - 198 | Kr. 4,595 |
| 200 - 998 | Kr. 3,72 |
| 1000 + | Kr. 3,63 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-378P
- Producentens varenummer:
- AG087FGD3HRBTL
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -40V | |
| Serie | AG087FGD3HRB | |
| Emballagetype | TO-252 (TL) | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7.0mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 14.9nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 53W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.5mm | |
| Bredde | 6.8mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, AEC-Q101 | |
| Højde | 2.3mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds -40V | ||
Serie AG087FGD3HRB | ||
Emballagetype TO-252 (TL) | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7.0mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14.9nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 53W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.5mm | ||
Bredde 6.8mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS, AEC-Q101 | ||
Højde 2.3mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
ROHM Power MOSFET er designet til biler og industrielle anvendelser. Denne alsidige komponent fungerer ved en maksimal drain-kildespænding på 40 V, hvilket muliggør effektiv styring i strømstyringssystemer. Den er bygget med avanceret teknologi og har en lav modstand i tændt tilstand på 7,0 mΩ, hvilket optimerer energieffektivitet og termisk ydeevne. Denne MOSFET er AEC-Q101-certificeret og pålidelig selv i barske bilmiljøer, hvilket gør den til et godt valg for ingeniører, der søger holdbare løsninger. Dens robuste termiske modstand og avalanche-testet design sikrer fremragende pålidelighed under varierede driftsforhold, hvilket cementerer dens status som en go-to-option til anvendelser med høj strømstyrke.
Kontinuerlig afløbsstrøm mærket til ±40 A, hvilket giver pålidelig ydeevne i krævende scenarier
Breakdown-spænding på 40 V sikrer robust beskyttelse mod overspændingsforhold
Lav gate-tærskelspænding på 1,0 V til 2,5 V, der letter jævn drift og styring
I overensstemmelse med AEC Q101, hvilket fremhæver dens egnethed til brug i biler
Fremragende termisk modstand på 2,80 °C/W, hvilket forbedrer varmeafgivelsen og levetiden
100 % avalanche-testet, hvilket giver ro i sindet i miljøer med høj belastning
Har et DPAK-hus, der optimerer det fodaftryk, samtidig med at det understøtter effektiv termisk styring
Velegnet til konstruktioner med høj effektivitet i biler og andre anvendelser med høj strømstyrke