ROHM Type P-Kanal, Enkelt MOSFET'er -40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3G04BBJHRB AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 687-383P
- Producentens varenummer:
- RD3G04BBJHRBTL
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 20 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 98,00
(ekskl. moms)
Kr. 122,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 98 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 20 - 48 | Kr. 4,90 |
| 50 - 198 | Kr. 4,42 |
| 200 - 998 | Kr. 3,545 |
| 1000 + | Kr. 3,455 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-383P
- Producentens varenummer:
- RD3G04BBJHRBTL
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain source spænding maks. Vds | -40V | |
| Serie | RD3G04BBJHRB | |
| Emballagetype | TO-252 (TL) | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 24.0mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 5V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 53W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 27.6nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 2.3mm | |
| Længde | 10.5mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, AEC-Q101 | |
| Bredde | 6.8mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain source spænding maks. Vds -40V | ||
Serie RD3G04BBJHRB | ||
Emballagetype TO-252 (TL) | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 24.0mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 5V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 53W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 27.6nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 2.3mm | ||
Længde 10.5mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS, AEC-Q101 | ||
Bredde 6.8mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
ROHM Power MOSFET leverer fremragende ydelse, der er designet specielt til højeffektive anvendelser. Denne komponent styrer effektivt strøm med en maksimal drain-source-spænding på -40 V og kontinuerlig strømhåndtering på ±40 A, hvilket gør den velegnet til styring af elektriske belastninger i forskellige systemer. Dens lave modstand ved tænding på 24,0 mΩ sikrer minimalt energitab, hvilket fremmer effektivitet, mens robuste termiske egenskaber gør det muligt at fungere pålideligt op til 175 °C forbindelsestemperatur. Dette produkt er ikke kun AEC-Q101-kvalificeret, men også 100 % avalanche-testet, hvilket sikrer pålidelig funktionalitet i kritiske miljøer. Det er det perfekte valg til anvendelser inden for bilsystemer, belysning og industrielle styringer.
Design med lav modstand ved tænding for reduceret energitab
Fremragende termisk modstand øger pålideligheden i miljøer med høje temperaturer
AEC Q101-kvalifikation sikrer kvalitet og ydeevne i biler
100 % avalanche-test forstærker komponenternes pålidelighed under ekstreme forhold
Præget emballage letter håndtering og integration i systemer
Kompatibel med en lang række anvendelser, herunder ADAS og belysning
Høj pulserende drainstrømkapacitet på ±80 A understøtter krævende belastningsscenarier
Minimal gate-ladning øger skiftehastigheden og forbedrer den samlede effektivitet