ROHM Dual N-Kanal, Enkelt MOSFET'er 80 V Forbedring, 8 Ben, HSMT-8, HT8MD5HT
- RS-varenummer:
- 687-385P
- Producentens varenummer:
- HT8MD5HTB1
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 20 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 231,90
(ekskl. moms)
Kr. 289,88
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 200 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 20 - 48 | Kr. 11,595 |
| 50 - 198 | Kr. 10,395 |
| 200 - 998 | Kr. 8,38 |
| 1000 + | Kr. 8,115 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-385P
- Producentens varenummer:
- HT8MD5HTB1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | Dual N | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | HT8MD5HT | |
| Emballagetype | HSMT-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 165mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 13.0W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.1nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 3.4mm | |
| Højde | 0.8mm | |
| Længde | 3.45mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype Dual N | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie HT8MD5HT | ||
Emballagetype HSMT-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 165mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 13.0W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.1nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 3.4mm | ||
Højde 0.8mm | ||
Længde 3.45mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM Power MOSFET er designet til alsidige elektroniske anvendelser. Med sin dobbelte N-kanal og P-kanal-konfiguration leverer denne komponent fremragende ydeevne, der giver mulighed for effektiv strømstyring i motordrev og andre krævende kredsløb. Egenskaber som lav modstand ved tænding sikrer minimalt effekttab under drift, mens HSMT8-huset giver et kompakt fodaftryk uden at gå på kompromis med ydeevnen. HT8MD5H understøtter et bredt spændingsområde og er i overensstemmelse med RoHS- og halogenfri standarder, hvilket gør den til et ideelt valg til miljøvenlige design. Denne MOSFET er bygget med pålidelighed for øje og er velegnet til forskellige anvendelser, der kræver robust ydeevne under varierende forhold.
Design med lav on-modstand forbedrer effektiviteten i strømforsyninger
Høj effektkapacitet i et kompakt HSMT8-pakke strømliner integrationen
RoHS-overensstemmelse og halogenfri konstruktion understøtter miljøvenligt design
100 % Rg og UIS testet for pålidelighed under krævende driftsforhold
Optimeret til motordrev, der sikrer effektiv effektstyring
Bredt spændingsområde sikrer alsidighed i forskellige elektroniske miljøer
Konstrueret til at modstå maksimale forbindelsestemperaturer på op til 150 °C