ROHM N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 40 A 40 V Forbedring, 8 Ben, DFN3333T8LSAB, RH7G04CBKFRA AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 687-450P
- Producentens varenummer:
- RH7G04CBKFRATCB
- Brand:
- ROHM
Få rabat ved storkøb
Tilføj 50 flere for at gemme 10%
Se mængderabatterIndhold 20 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 113,70
(ekskl. moms)
Kr. 142,12
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 96 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 20 - 48 | Kr. 5,685 | - |
| 50 - 198 | Kr. 5,075 | 10% |
| 200 - 998 | Kr. 4,11 | 27% |
| 1000 + | Kr. 4,025 | 29% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-450P
- Producentens varenummer:
- RH7G04CBKFRATCB
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | RH7G04CBKFRA | |
| Emballagetype | DFN3333T8LSAB | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5.0mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19.1nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 62W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.4mm | |
| Bredde | 3.4mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie RH7G04CBKFRA | ||
Emballagetype DFN3333T8LSAB | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5.0mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19.1nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 62W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.4mm | ||
Bredde 3.4mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM N-kanals effekt-MOSFET er designet til at fungere effektivt i krævende anvendelser. Med en maksimal drain-kilde-spænding på 40 V og en kontinuerlig drain-strømkapacitet på op til 40 A udmærker denne komponent sig til strømskift og forstærkningsopgaver. Dens lave modstand i tændt tilstand på 5,0 mΩ sikrer minimalt effekttab under drift, hvilket gør den velegnet til både biler og industrielle anvendelser. Denne enhed er AEC-Q101-kvalificeret og giver pålidelig ydeevne med 100 % avalanche-test, hvilket sikrer sikkerhed og holdbarhed under forskellige driftsforhold.
Designet til høj effektivitet med lav modstand i tændt tilstand, hvilket reducerer varmeudviklingen
AEC Q101-kvalificeret, der sikrer pålidelighed for bilstandarder
100 % avalanche-testet for øget sikkerhed under transienter
Kontinuerlig afløbsstrømkapacitet på op til 40 A til krævende anvendelser
Driftstemperaturområde for samling fra -55 til +175 °C for alsidig brug
Velegnet til anvendelser inden for ADAS, belysning og kabineelektronik
I overensstemmelse med strenge kvalitetskontrolforanstaltninger for pålidelig ydeevne