ROHM N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 11 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, R8011KNZ4
- RS-varenummer:
- 687-457P
- Producentens varenummer:
- R8011KNZ4C13
- Brand:
- ROHM
Få rabat ved storkøb
Tilføj 100 flere for at gemme Kr. 275,50
Se mængderabatterIndhold 20 enheder (leveres i en bakke)*
Kr. 540,60
(ekskl. moms)
Kr. 675,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 120 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 20 - 98 | Kr. 27,03 | - |
| 100 - 198 | Kr. 24,275 | Kr. 275,50 |
| 200 + | Kr. 19,115 | Kr. 1.583,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-457P
- Producentens varenummer:
- R8011KNZ4C13
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 11A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | R8011KNZ4 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.45Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 139W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 37nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 40mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 5.22mm | |
| Bredde | 16.24mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 11A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie R8011KNZ4 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.45Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 139W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 37nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 40mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 5.22mm | ||
Bredde 16.24mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM Power MOSFET er designet til at levere fremragende effektivitet og pålidelighed i forskellige anvendelser. Med en mærkespænding på 800 V og en maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 11 A udmærker denne komponent sig i krævende miljøer. Den er udviklet til hurtig omskiftning og har en lav modstand ved tænding på kun 0,45 Ω, hvilket giver mulighed for reduceret effekttab og effektiv termisk styring. Dens robuste konstruktion sikrer overholdelse af miljøstandarder, herunder RoHS, hvilket gør den til et praktisk valg til moderne elektroniske design, der prioriterer bæredygtighed sammen med ydeevne.
Lav modstand på tænding sikrer effektiv strømforsyning
Hurtig skiftefunktion optimerer ydeevnen i højhastighedsanvendelser
Robust konstruktion understøtter parallel brug, hvilket forbedrer designfleksibiliteten
I overensstemmelse med RoHS-standarder, hvilket bidrager til miljøvenligt design
Bredt driftstemperaturområde fra -55 til +150 °C sikrer pålidelighed under ekstreme forhold
Termisk modstand giver fremragende varmestyring i kompakte design
Effektive gate-opladningsegenskaber gør det nemmere at integrere i eksisterende kredsløb
Alsidige anvendelser inden for industri, bilindustri og forbrugerelektronik