ROHM N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 80 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3L08DBLHRB AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 687-458P
- Producentens varenummer:
- RD3L08DBLHRBTL
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 20 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 277,50
(ekskl. moms)
Kr. 346,88
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 20 - 48 | Kr. 13,875 |
| 50 - 198 | Kr. 12,49 |
| 200 - 998 | Kr. 10,06 |
| 1000 + | Kr. 9,725 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-458P
- Producentens varenummer:
- RD3L08DBLHRBTL
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 80A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-252 (TL) | |
| Serie | RD3L08DBLHRB | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 22nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 76W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 2.3mm | |
| Bredde | 6.8mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, AEC-Q101 | |
| Længde | 10.5mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 80A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-252 (TL) | ||
Serie RD3L08DBLHRB | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 22nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 76W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 2.3mm | ||
Bredde 6.8mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS, AEC-Q101 | ||
Længde 10.5mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
ROHM Power MOSFET er designet til krævende anvendelser, der kræver høj effektivitet og robust ydeevne. Denne 60 V, 80 A N-kanal MOSFET har ultralav modstand ved tænding, hvilket giver fremragende elektrisk ydeevne og samtidig sikrer pålidelighed. Den er designet til at fungere optimalt i forskellige miljøer, hvilket gør den ideel til brug i biler, herunder avancerede førerassistanssystemer (ADAS) og belysning. Med overholdelse af AEC-Q101 og 100 % avalanche-test sikrer denne komponent høje standarder for sikkerhed og effektivitet i ethvert elektronisk design. Dens kompakte emballage gør det nemt at integrere i pladsbegrænsede layouts.
Leverer lav modstand på 7,6 mΩ, hvilket forbedrer effektiviteten ved strømoverførsel
Mærket til en maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 80 A, hvilket sikrer pålidelighed under betydelige belastninger
Har en bred drain-source-spænding på 60 V, der er velegnet til forskellige højspændingsanvendelser
Alle produkter er i overensstemmelse med RoHS, hvilket understøtter miljøvenligt design
100 % avalanche-testet for øget pålidelighed og komponenters lang levetid
Konstrueret i en DPAK TO-252-pakke til nem montering i kompakte kredsløb
Har et bredt driftstemperaturområde fra -55 °C til 175 °C, hvilket sikrer ydeevne under ekstreme forhold
Kvalificeret iht. AEC Q101, hvilket gør den ideel til biler og anvendelser med høj pålidelighed